El futuro tiene buena pinta en este sector en concreto, pues Samsung presenta las memorias DDR5 a 12nm con un -23% de consumo
Samsung anunció la primera memoria DDR5 de proceso de 12nm del mundo, capacidad de núcleo de 16Gb y la primera en completar la certificación de compatibilidad de la plataforma AMD.
Informa MyDrivers que Samsung es la compañía de chips de memoria DRAM más grande del mundo, pero también una de las más avanzadas tecnológicamente, en 2021 tomó la delantera en el lanzamiento de chips DRAM de 14nm, utilizando el proceso EUV, esta vez el chip de memoria DRAM de 12nm es una actualización técnica adicional.
Además del proceso EUV, la memoria DRAM de 12nm utiliza materiales high-K y técnicas de diseño dedicadas para mejorar las características del circuito, y la memoria tiene la densidad de memoria más alta de la industria y una productividad de oblea un 20% mayor.
Samsung no mencionó demasiados detalles técnicos, con una velocidad de hasta 7.2Gbps, afirmando ser capaz de manejar dos fuentes de alimentación UHD de 30GB en 1 segundo, y consumiendo un 23% menos de energía que la DRAM anterior.
El proceso DRAM de 12nm de Samsung es el primero en pasar la certificación de compatibilidad de la plataforma AMD, optimizada y verificada en la arquitectura Zen, en teoría, los últimos EPYC y Ryzen 7000 se beneficiarán, la generación Zen4 es totalmente compatible con la memoria DDR5.
Se espera que Samsung produzca oficialmente memoria DRAM de 12nm en masa en 2023, se desconoce el momento específico.