Con un estand inspirado en los servidores en nube para IA, la compañía Samsung desvela su visión de memoria 3D de próxima generación en el FMS 2026.
Ha mostrado su hoja de ruta tecnológica, destacando el avance de sus conceptos zHBM y zNAND-O, la introducción de la arquitectura V10 BV-NAND con más de 400 capas y una amplia cartera de soluciones para la infraestructura del futuro.
Visión de memoria 3D y nuevos conceptos: zHBM y zNAND-O
Durante la conferencia inaugural, los directivos de Samsung expusieron cómo las estructuras 3D maximizarán el rendimiento y la eficiencia energética en la computación de alto rendimiento (HPC) y la IA:
- zHBM: Diseñado para la computación de IA avanzada, este modelo conceptual rompe con el diseño tradicional al apilar la memoria HBM directamente de forma vertical sobre los aceleradores de IA, en lugar de colocarla al lado. Esto minimiza la distancia de recorrido de los datos, ofreciendo un rendimiento estimado de unas ocho veces el de HBM5, hasta diez veces su densidad de memoria, el triple de eficiencia energética y una reducción superior a la mitad en la resistencia térmica. Además, permite integrar IP personalizada entre la memoria y el acelerador.
- zNAND-O: Una solución de memoria NAND de alto rendimiento desarrollada en versiones de cuatro y ocho capas. Basada en la tecnología V-NAND y optimizada para entornos de IA en el borde (edge AI), destaca por su alta eficiencia espacial, menor latencia y gran rendimiento de E/S.
V10 BV-NAND y hoja de ruta en IA
Samsung ha marcado un nuevo hito al presentar la V10 BV-NAND, 13 años después de introducir la primera tecnología V-NAND en el mismo certamen.
- Más de 400 capas: Mediante el uso de tecnología de unión de obleas (wafer bonding), la compañía ha logrado incrementar la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% en comparación con la generación anterior (V9), mejorando además las velocidades de lectura, escritura y E/S.
- Portfolio de IA (HBM4E, HBM5 y PIM): Samsung reafirma su liderazgo tras iniciar el envío de muestras de HBM4E a clientes globales el pasado mes de mayo. También exhibió soluciones como LPDDR5X-PIM (con tecnología de procesamiento en la memoria) y unidades de almacenamiento empresarial de alto rendimiento como la PM1763 y la BM1773.
Como el único fabricante de dispositivos integrados con capacidades en memoria, fundición y empaquetado avanzado, Samsung ofrece una estrategia integral de soluciones «llave en mano» para acortar los ciclos de desarrollo de sus clientes en la era de la inteligencia artificial.
fuente: Samsung