Pensados para grandes centros de datos y ejecutar IA local muy potente, Micron presenta el primer módulo de memoria RAM DDR5 de 512 GB del mundo con velocidades de hasta 9.200 MT/s.
La compañía Micron ha presentado un avanzado módulo DDR5 RDIMM de alta densidad diseñado específicamente para la próxima generación de servidores profesionales y cargas de trabajo intensivas como la inteligencia artificial, bases de datos masivas y análisis analíticos.
Innovación en diseño vertical y eficiencia energética para servidores
El impresionante hito de capacidad logrado por la marca se sustenta en soluciones de ingeniería avanzada orientadas a optimizar el rendimiento del hardware:
La capacidad de 512 GB se consigue mediante dados de memoria dinámicos apilados verticalmente y conectados mediante vías pasantes de silicio (TSVs), permitiendo que sistemas de doble zócalo con 24 ranuras alcancen hasta 12 TB de memoria DDR5.
Un único módulo RDIMM de 512 GB opera con un consumo estimado de 16 W, lo que representa una bajada superior al 60 % en comparación con los 44.2 W que requerirían cuatro módulos individuales de 128 GB para ofrecer el mismo volumen de almacenamiento temporal.
Impacto en el rendimiento y previsión de lanzamiento comercial
El incremento masivo de capacidad por módulo aporta beneficios directos en entornos de computación altamente exigentes y orientados a la velocidad:
- Optimización en tareas pesadas: Este tipo de configuraciones acelera de forma notable la ejecución de grandes modelos de lenguaje, inferencia de inteligencia artificial y bases de datos en memoria, ofreciendo hasta 1.4 veces el rendimiento en análisis de datos mediante Spark SVM frente a configuraciones de 256 GB.
- Disponibilidad futura: Las previsiones de Micron sitúan la entrada en producción a gran escala de estos módulos en la segunda mitad de 2027, con fases actuales de validación por parte de gigantes como AMD e Intel para sus plataformas de servidor venideras.
fuente: Micron